高压下XeF2结构和电子性质的第一性原理研究

二氟化氙(XeF2)晶体是一种重要的化学刻蚀材料和激光器件材料.利用密度泛函理论(DFT),分别采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)对XeF2晶体在0～ 120 GPa范围内的结构进行相关分子动力学模拟,得到了压强-体积(p-V)关系.结果表明,低压下用2种方法得到的XeF2晶体数据与实验比较吻合.同时,分析了高压下原子态密度的变化,得到了XeF2晶体带隙与压强的变化关系,表明XeF2晶体在高压下是一种半导体材料.研究其在高压下的变化特征,对实验研究具有一定参考价值.