Rh在CeO2(111)表面吸附的第一性原理研究

采用基于广义梯度近似的投影缀加平面(Projector augmented wave)赝势和具有三维周期性边界条件的超晶胞模型,用第一原理计算方法,计算并分析了Rh在CeO2(111)表面吸附所形成的Rh/CeO2(111)界面体系的吸附能,价键结构和局域电子结构.考虑了Rh在不同吸附位置的吸附情况.结果表明:1)Rh在CeO2(111)面有较大的吸附能,表明Rh与CeO2(111)面有较强的相互作用,而且Rh在位于表面O的三度位,且位于次层氧的顶住的吸附最强;2)Rh的4d态同村底O的2p态有明显的杂化作用,这是Rh同CeO2较强作用的主要原因;3)Rh被CeO2(主要是Rh的次近郐的Ce)氧化为Rh()+,并伴随着Ce4+→ce2+反应的发生.