电针对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及血管内皮生长因子表达的影响

目的 研究电针对脑缺血/再灌注大鼠梗死侧海马区血管内皮生长因子(VEGF)、内源性神经干细胞(NSCs)及学习记忆功能的影响.方法 将40只雄性SD大鼠随机分为正常组、假手术组、模型组及电针组,每组10只动物,模型组及电针组大鼠采用Zea Longa线栓法制备局灶性脑缺血/再灌注(MCAO/R)模型,电针组于制备模型后24 h给予电针治疗,连续治疗14 d后,采用RT-PCR法检测梗死侧海马区VEGF mRNA的表达,免疫组化法检测梗死侧海马区内源性神经干细胞的增殖,水迷宫检测其学习记忆能力.结果 与模型组比较,电针治疗组大鼠脑梗死侧海马区VEGF mRNA表达明显增强,内源性神经干细胞增殖显著增加,而逃避潜伏期明显缩短,差异均有统计学意义(均P＜0.01).结论 电针可能通过增加脑梗死侧海马区VEGF的表达而促进血管新生,进而诱导内源性神经干细胞的增殖,从而改善其学习记忆能力.