Co掺杂β-FeSi2化合物的热电性能及电子结构的第一性原理研究
- 期刊名字:人工晶体学报
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- 论文作者:李翔,周园,任秀峰,年洪恩,曹萌萌
- 作者单位:中国科学院青海盐湖研究所,中国科学院研究生院
- 更新时间:2022-04-06
- 下载次数:次
论文简介
采用机械合金化结合后续热处理成功制备出Fe1-xCoxSi2化合物,探讨Co掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波方法对Co掺杂前后β-FeSi2的电子结构进行计算.结果表明:Co元素掺杂量x应控制在0-0.05之间;β-FeSi2的费米面位于价带顶,其电阻率随温度升高而降低,为非简并半导体;Co掺杂后费米面进入导带底,使其成为n型简并半导体,电阻率较掺杂前大幅度降低;本实验条件下,热电性能检测发现,当x=0.03,温度873 K时,试样的功率因子达到最大值为60μW·m-1·K-2.
论文截图
上一条:五种失真因素综合作用下的EVM
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