第一性原理研究PDP放电单元MgO保护层各种空缺对二次电子发射系数的影响
- 期刊名字:真空科学与技术学报
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- 论文作者:李巧芬,屠彦,于金
- 作者单位:东南大学电子科学与工程学院,东南大学材料科学与工程学院
- 更新时间:2022-04-06
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论文简介
基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了PDP放电单元中MgO保护层在形成氧空缺后的电子结构的变化.通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO形成氧空缺后在禁带中引入了能级.本文计算了完整MgO以及含F、F~+、F~(2+)空缺的MgO晶体,得到不同能带结构和态密度分布,同时计算了相应的二次电子发射系数.结果表明空缺的形成,可有效提高二次电子发射系数,其中形成F空缺的MgO晶体的二次电子发射系数最大.
论文截图
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