硅(100)晶面上硅和二氧化硅的横向与纵向腐蚀速率

定义了硅表面上硅和二氧化硅的横向腐蚀速率,系统地测量了硅(100)晶面上的硅和二氧化硅在40%(质量分数)氟化铵水溶液中的横向与纵向腐蚀速率,并和硅(111)晶面上的测量结果进行了对比.对比结果表明,尽管两种晶面上的硅和二氧化硅的腐蚀速率有明显的差别,其相应的表观活化能在误差范围内相同.实验中还发现,溶液的温度为38.2 ℃时,硅腐蚀过程中形成的气泡对硅的腐蚀速率有显著的影响: 开始时加速硅的腐蚀;但随着气泡在硅/溶液界面的聚集,阻碍硅的腐蚀.