GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices

本标准代替GB/T6618-1995《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。本标准与GB/T6618-1995相比,主要有如下变化:---将适用范围扩展到外延片;---增加了第4章干扰因素;---增加了150mm 和200mm 两种规格的基准环的尺寸;---增加了7.2仪器校正的内容。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:北京有研半导体材料股份有限公司。本标准主要起草人:卢立延、孙燕、杜娟。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:---GB6618-1986、GB/T6618-1995。