GB/T 41325-2022集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm300mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm~100 Ω·cm的Low-COP抛光片。