GB/T 41033-2021CMOS 集成电路抗辐射加固设计要求Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求,建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOI CMOS 工艺的数字集成电路﹑模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。