GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers

本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。
本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试，氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 crystal substrate wafers 2022-10-12发 布 2023-02-01实 施 驴。 吨、 国家市场监督管理总局‘井＋－ 鎏对国家标准化管理委员会及”刀 GB/T 41751-2022 刖 言 　　本文件按照GB/T 1.1-2020《 标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则 》 的规定 起草 。 　　请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 　　本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ SAC/TC 203） 与全国半导体设备和材料标准 化 技 术 委 员 会材 料 分 技 术 委员 会 （ SAC/TC 203/SC