DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片

本标准规定了太阳能级硅单品方棒、单品硅片的术语和定义、产品分类、原料要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等。
本标准适用于制造太阳能电池基片的单晶硅方棒、单品硅片。？[第1页] ICS 01. 040.27 F 12 DB13 河 北 省 地 方 标 准 DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒 、 单晶硅片 2010-11-15发 布 2010-11-25实 施 河 北 省 质 量 技 术 监 督 局 发 布 [第2页] DB13/T 1314-2010 月 ij舀 本 标准 按IXAGB/T 1. 1-2009给 出的规 则起 草 。 本标准由邢台市质量技术监督局提出4 本标准起草单位JIii龙实业集团有限公司 、 宁晋县质量技术监督局 。 本标准主要起草人员J任丙彦 、 安增现 、 柳志强 、 颜志峰 、 刘彦朋 。 [第3页] DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒 、 单晶硅片 范 围 　　本标准规定了太阳能级硅单品方棒 、 单品硅片的术语和定义 、 产品分类 、 原料要求 、 技术要求 、 试 验方法 、 检验规则 、 标志 、 包装 、 运输及贮存等‘ 　　本标准适用于制造太阳能电池基片的单晶硅方棒 、 单品硅片‘ 2规范性引用文件 　　卜列文件对于本文件的应用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 仅所注日期的版本适用于本文 件 。 凡是不注日期的引川文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适川于本文件 。 　　GB/T 1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 　　GB/T 2828. 1计数抽样检验程序第一部分J按接受质量限SAQL ） 检索的逐批捡验抽样计划 　　GB/T 6618硅片厚度和总P1度变化测试方法 　　GB/T 6620硅片翘曲度非接触式测试方法 　　GB/T 6624硅抛光片表面质H.目测检验方法 　　GB/T 191包装储运图示标志 3术语和定义 缺口indent 指贯穿单品硅片边缘的缺损 。 3. 2 亮 边 bright Point Edge 指单品硅片侧棱上的连续缺损区域。 3. 3 崩 边 edge crack 　　指单品硅片边缘或表面未贯穿单品硅片的局部缺损区域 ， 当崩边在单晶硅片边缘产生时 ， 其尺寸由 径向深度和周边弦长给出 。 3.4 裂纹crack 指延伸到单晶硅片表面 ， 贯穿或不贯穿单品硅片厚度的解理或裂痕‘ [第4页] DB13/T 1314-2010 3. 5 划痕scratch 指单晶硅片在白炽灯或荧光灯下 ， 肉眼明显可见的凹陷状划伤舀 3.6 线痕saw mark 指切割时在单品硅片表面留下的轻微不规则凹凸直线状痕迹 。 3. 7 弧宽度偏差chamfer width departure 单晶硅方棒 、 单晶硅片的四个圆弧中所对应的最大弦长与最小弦长的差‘ 4产 品 分 类 4. 1分类 单uu硅方棒 、 单U,硅片按导电类型分为N型和P型两种类型 。 4. 2规格 　　单品硅方棒、 单品ft片按直径分为0127 mm, 0135 mm, 0 150 mm, (165 mm, (200 mm, 中220 mm 或由供需双方商定规格：按单品硅方棒、 单品硅片的形状和外形尺寸（ 注, aXa/￠见图1, 单位mm ） 分为I 　100X 100/127, 103X 103/135, 125X 125/150, 125X 125/165, 156X 156/200, 156X 156/220或由供 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　需双方商定规格。 ， 一 ‘ ’ 一 “ ’ ～ “ 、 　 　  　 　 　 　 ? 　 　 　 　 ? 　 　 　 　 ？ 　 　 　 　 l 　 　 　 　 　 l 　 　 　 　 　  　 　 　 　 　 　 　  　 　 l 0一直径 ； [第5页] DB13/T 1314-2010 。 一 边 长 ； L一弦长 。 单晶硅方棒断面 、 单晶硅片表面形状 4. 3等级 单晶硅片按I； ｝1质等级分为J一级品 、 二级品 、 三级品 （ 具体分类标准见5.2.3) 5原料要求 原料应符合表1规定 。 　少了寿命 导 电 掺杂元 ； 晶 向 电阻率 　 氧 含 量 　 碳 含 量 “ 严 品 向 　 　 　 卜 几 s atoms/cm' atoms/cm' 类 型 　素 方 式 偏 离 度 R.cm （ 断 面 中 心 点 ） 个 川 　 /Cm 11硼 ） 1-3/ 3-6 315 <100> P型 Ga 。 ＜1p -0.95X 10E18 -5X 10E16 < 2 000 0. 5-6 310 （ 镓 ） 0.5-3 3100 < 1X10E18 ＜3 000 。 <100> N 'i P （ 磷） ＜ 3’ < 5X 10E16 1.7-12 3300 <0.8X 10E18 ＜1 000 6技术要求 6.1太阳能级单晶硅方棒 6. 1. 1太阳能级单晶硅方棒缺陷 单 晶 硅 方 棒 不 得 有 孪 晶 线 、 层 错 、 六 角 网 络 、 亚 结 构 、 夹 杂 、 空 洞 、 星 形 结 构 等 缺 陷 （ 见GB/T 1554). 6. 1.2太阳能级单晶硅方棒几何参数 应符合表2规定． 太阳能级单晶硅方棒几何参数 　 loo x 　 103 X 　125 X 　125 X 　156 X 　156 X 标 称 规 格 ．mm 125/165 100/127 103/135 125/150 156/200 156/220 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 0.5 边 长 偏 差 ， mm ， 士 127 135 150 165 200 220 直 径 ， mm 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 0. 5 直 径 偏 差 ， mm ．士 100 100 100 100 100 100 单au硅方棒长度 ， min. > 单晶硅方棒的长度也可由供需双方协商确定‘ [第6页] DB13/T 1314-2010 6.1.3制造 按程序批准的文件或供需双方协商公差范围制造 。 6.1.4单晶硅方棒外观 6.1.4.1棱 上 崩 边 摊边100 mm 以内＞0. 1 mm,＜ 0.3 mm 的崩边不多于3个。 6.1.4.2两直边垂直度 90 士 20' 6.1.4.3弧宽度偏差 ＜1.5 mm. 6. 1. 5单晶硅方棒表面质量 　　单晶硅方棒表面经过处理后 （ 化学处理或机械处理 ） ， 不允许出现肉眼能观察到的明显沾污 、 酸印 、 小坑 、 划痕． 6. 2太阳能级单晶硅片 6.2. 1太阳能级单晶硅片的几何参数 应符合表3规定 。 太阳能级单晶硅片的几何参数 　loo x 　103 X 　125 X 　125 X 　156 X 　156 X 标 称 规 格 ， mm 100/127 103/135 125/150 125/165 156/200 156/220 0.3 0. 3 0.4 0. 4 0.4 0. 5 边 长 偏 差 ， mm ， 土 127 135 150 165 200 220 直 径 ， mm 0.3 0.3 0.4 0. 4 0.4 0. 5 直 径 偏 差 ， mm ， 士 140, 150, 140, 150, 160, 170, 160, 170, 180, 190, 180, 190, 单 品 硅 片 厚 度 （ 中 心 点 ） ， pm 160, 170 160, 170 180, 190 180, 190 200, 210 200, 210 10 10 10 10 10 10 单晶硅片厚度允许偏差 ， μ m ， 士 单晶硅片厚度及厚度允许偏差也可由供需双方协商确定 。 6.2.2太阳能级单晶硅片的外观 、 表面质量 应符合表4规定 。 [第7页] DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅片的外观 、 表面质量 项 目 一 级 品 二 级 品 三 级 品 (1 mmX0.5 mm) - (5 mm 缺 口 不 可 有 ＜(1 mmXO. 5 mm) X 3 mm) 单面41边宽度 15 μ m. <25 pm >25 μ m. <70 μ m （ 深 度 ） 总厚度变 <25 μ m >25 μ m. <35 μ m >35 μ m. <70 μ m 化(TTV) 翘 曲 度 <30 pm >30 pm. <40 pm >40 μ m. <70 pm 表面有异常颜色 ， 表面有异常颜色． 色 斑 无目视可见色斑 面积小于硅片总面积的1/3 面积大于硅片总面积的1/3 硅片表面不允许有裂纹．目视无 凹坑 、 “v”型缺口 、 孔洞．无 硅片表面不允许有裂纹 ， 目视无凹 硅片表面不允许有裂纹 ， 目视无 表面质量 硅胶残留 ， 表面无沾污和异常斑 坑 、 “v”型缺口 、 孔洞 。 孔洞 。 点 。 7试验方法 7. 1单晶硅方棒外观 7.1.1棱上崩边测量用读数显微镜测量 。 7.1.2两直边垂直度测量川精确度为2'的万能角度尺测量‘ 7.1.3弧宽度偏差测Ji:用精确度为0.02 mm 的游标k尺测量‘ 7.2单晶硅方棒的表面质1=u 　　目视检验 ， 特殊情况下可用测最显微镜观测 。 7. 3单晶硅方棒 、 单晶硅片的几何参数 [第8页] DB13/T 1314-2010 单uir硅方棒 、 单uu硅片的几何参数用精确度为0. 02 mm 的游标P尺测量 。 7.4单晶硅片外观 7.4. 1单uuAI硅片厚度和总厚度变化按GB/T 6618进行‘ 7.4. 2单Il硅片翘 ！ #t！ 度按GB/T 6620进行4 7.4.3单uu硅片缺口、 崩边用目测加读数显0镜测U. 7.4.4单品硅片亮边 、 划痕用目测加精确度为0. 02 mm 的游标卡尺测量. 7.4.5单nuu硅片的线痕用精确度为0.001 mm 的千分表测k台测量 。 7.4. 6单uu硅片的色斑为目视检验‘ 7. 5单晶硅片的表面质量 按GB/T 6624进行。 检验规则 8.1检验分类 产品检验分出厂捡验和型式检验两类 。 出厂检验 8.1.1.1 4批产品出厂前须经本公司质检部门检验合格后方可出厂 。 8.1.1.2单品fit方棒的出厂检验项目为J表面质量 、 外观 、 几何尺寸 。 8.1.1.3单品硅片的出厂检验项目为J厚度 、 总厚度变化 、 翘曲度 、 外观 、 表面质量 、 儿何尺寸 、 弧 宽度偏差等 。 型式检验 8.1.2.1正常情况下 ， 每两年进行一次型式检验 。 有下列情况之一时 ， 亦应进行‘ 原料 、 工艺有较大改变可能影响产品质量性能时 ； 长期停产后恢复生产时 ； 出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时 ； 国家质最监督部门提出型式检验要求时 。 型式检验项目为本标准规定的全部内容 。 组批 产品应以批的形式提交验收 。 同一牌号 、 同一规格的产品为一批月 抽 样 单晶硅方棒 每批产品随机抽取20％的试样 ， 5根一9根晶棒抽取2个试样 ， 5根uir棒以下抽取一个试样 。 8.3.2单晶硅片 [第9页] DB13/T 1314-2010 　　产品检测按GB/T 2828. 1一般检查水平11， 正常检查一次抽样方案进行 ， 或由供需双方协商确定的 抽样方案进行J见表5. 单晶硅片的检测项目及接收质量限 序 号 检 验 项 目 接收质最限 （ AQL) 1.0 厚度偏差 2 1.0 总厚度变化 3 1.0 翘 曲 度 4 直径及直径偏差 1.0 5 2.5 参考面长度 （ 或直径 ） 1.0 崩 边 1.5 沾 污 2.0 深划 、 亮边 1.0 6 裂 纹 、 缺口 表面质量 1.0 线 痕 色 斑 1.0 2. 5 累 计 9判定规则 0．1出厂检验 　　单品硅方棒 、 单品硅片出厂检验项目中若有一项不合格 ， 允许返工修复 ， 修复后复检 ， 复检合格则 判该批产品出厂检验某级别合格 。 9. 2型式检验 　　单品硅方棒 、 单品硅片全部检验项目判定合格则该产品型式检验合格 。 10标志 、 包装 、 运输和贮存 10. 1标志 10. 1. 1产品包装应附有合格证明并标明以下内容t 产品名称 、 规格型号及数最 ； 产品执行标准编号： 生产厂名 、 厂址 ； 生产日期或批号 ； 检验员 、 检验日期及合格印章等 。 10.1.2包装标志还应应符合GB/T 191的要求 ， 应有“小心轻放” 、 “防潮” 、 “易碎”等字样 或图示标志 。 10. 2包 装 [第10页] DB13/T 1314-2010 　　产品采用聚苯烯 （ 泡沫 ） 或纸制品作内包装 ， 然后将经过包装的产品装入包装箱内 ， 并装满填充物 ， 防止产品松动‘ 10. 3运输 产品在运输过程中应轻装轻卸 、 防震 、 防潮 ， 严禁挤压 、 抛掷4 10.4贮存 产品应贮存在干燥 、 通风 、 清洁 、 无腐蚀的仓库内 ， 防止日I炳雨淋 。