YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法 Test method for thickness of epitaxial layers-Stacking fault size

本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。
本标准适用于在＜111>、＜100>和＜110> 晶向的硅单晶衬底上生长的2μm~120μm硅外延层厚度的测量。标准 YS/T 23-2016 代替YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法 Test method for thickness of epitaxial layers-Stacking fault size 2016-04-05发 布 2016-09-01实 施 中华人民共和国工业和信息化部发布 厂 ’ 气 气 霍等／ YS/T 23-2016 刖 胃 　　本标准按照GB/T 1. 1-2009给出的规则起草 。 　　本标准代替YS/T 23-1992《 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法 》 。 本标准与YS/T 23-1992相 比 ， 主 要 变 动 如 下 ： 　 　 — — 增 加 了 “ 术 语 和 定 义 ” “ 干 扰 因 素 ” （ 见 第 3章 、 第 5章 ） ； 　　— —删除了非破坏性测试方法 ； 　　— —在第6章中增加了无铬腐蚀液B