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GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)
GB∕T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)...
2024-07-18 02:45:01浏览：7
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SJ/T 10805-2018 半导体集成电路 电压比较器测试方法
本标准规定了半导体集成电路电压比较器电特性测试方法。
替代SJ/T 10805-2000...2024-04-03 09:15:49浏览：15
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GB/T 43035-2023 半导体器件 集成电路 第20部分：膜集成电路和混合膜集成电路总规范 第一篇：内部目检要求 正式版
本文件的目的是检查膜集成电路和混合膜集成电路（FICs和HFICs，以下简称器件）内部的材料、结构和制造工艺。通常在封帽或包封前进行该项检验，从而找出并剔除带有内部缺陷的器件。这种缺陷会导致器件在正常应用中失效。其他的验收准则应与购买商或供应商商定。
标准号：GB/T 43035-2023
标准名称：半导体器件集成电路第20部分：膜集成电路和混合膜集成电路总规范第一篇：内部目检要求
英文名称：Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 20:Generic specification for film integrated circuits and hybrid film integrated circuits—Section 1:Requirements for internal visual examination
发布日期：2023-09-07
实施日期：2023-09-07
采用标准：IEC 60748-20-1:1994《半导体器件集成电路第20部分:膜集成电路和混合膜集成电路总规范第一篇:内部目检要求》 IDT 等同采用
起草人：王婷婷、吕红杰、冯玲玲、王琪、李林森、雷剑、张亚娟
起草单位：中国电子科技集团公司第四十三研究所、中国电子技术标准化研究院
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)...2023-12-28 14:36:01浏览：39
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GB/T 43040-2023 半导体集成电路 AC/DC变换器测试方法 正式版
本文件描述了半导体集成电路交流到直流（AC/DC）变换器（以下简称器件）参数测试方法。
本文件适用于半导体集成电路AC/DC变换器参数的测试。
标准号：GB/T 43040-2023
标准名称：半导体集成电路AC/DC变换器测试方法
英文名称：Semiconductor integrated circuits—Test method of AC/DC converters
发布日期：2023-09-07
实施日期：2024-04-01
起草人：王福强、刘玢、李雷、邓些鹏、马宝锋、陈志培、刘强、韩新峰、胡巧玉
起草单位：中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)...2023-12-23 22:48:01浏览：25
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GB/T 43136-2023 超硬磨料制品 半导体芯片精密划切用砂轮 正式版
本文件规定了半导体芯片精密划切用砂轮的产品分类、产品标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于半导体晶圆芯片精密划片和封装体芯片精密切割用电镀结合剂、树脂结合剂和金属结合剂金刚石砂轮。
标准号：GB/T 43136-2023
标准名称：超硬磨料制品半导体芯片精密划切用砂轮
英文名称：Superabrasive products—Precision dicing and cutting wheels for semiconductor chips
发布日期：2023-09-07
实施日期：2024-04-01
引用标准：GB/T 1800.2-2020 GB/T 2829-2002 GB/T 16458
起草人：包华、祝小威、邵俊永、邹余耀、杜晓旭、张良、王战、黎克楠、羊松灿、吴转运、黄国钦、胡智勇、余佳音、俞月国、冉隆光、杨松彬
起草单位：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司、南京三超新材料股份有限公司、郑州琦升精密制造有限公司、华侨大学、苏州赛尔科技有限公司
归口单位：全国磨料磨具标准化技术委员会(SAC/TC 139)...2023-12-22 23:36:01浏览：33
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GB/T 43226-2023 宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试方法 正式版
本文件规定了宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试的原理、环境条件、仪器设备、试验样品、试验步骤、试验报告。本文件适用于宇航用半导体集成电路单粒子软错误的测试。
标准号：GB/T 43226-2023
标准名称：宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试方法
英文名称：Time-domain test methods for space single event soft errors of semiconductor integrated circuit
发布日期：2023-09-07
实施日期：2024-01-01
引用标准：GB 18871-2002
起草人：赵元富、陈雷、王亮、岳素格、郑宏超、李哲、林建京、李永峰、陈淼、王汉宁
起草单位：北京微电子技术研究所、中国航天电子技术研究院
归口单位：全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)...2023-12-22 10:12:02浏览：16
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GB/T 1555-2023 正式版 半导体单晶晶向测定方法
本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。
本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。
替代GB/T 1555-2009...2023-11-08 23:24:02浏览：24
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GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关
本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号，描述了参数测试方法。
本文件适用于各种类型的射频MEMS开关，射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类，包括直流触点型开关和电容触点型开关；按结构分类，包括串联开关和并联开关，射频MEMS开关的几何结构说明见附录B；按开关网络分类，包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等；按驱动方式分类，包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR（软件无线电）电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛，射频MEMS开关的应用说明见附录E。...2023-11-04 11:48:01浏览：36
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GB/T 43136-2023 超硬磨料制品 半导体芯片精密划切用砂轮
本文件规定了半导体芯片精密划切用砂轮的产品分类、产品标记技术要求、试验方法、检验规则、标志﹑包装、运输和贮存。
本文件适用于半导体晶圆芯片精密划片和封装体芯片精密切割用电镀结合剂﹑树脂结合剂和金属结合剂金刚石砂轮。...2023-10-26 03:48:01浏览：33
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SJ/T 11875-2022 电动汽车用半导体集成电路应力试验程序
本文件描述了电动汽车用半导体集成电路(以下简称器件）的分级及最低应力试验程序(用于应力试验程序组成器件检验方案）。
本文件用于指导制定电动汽车用半导体集成电路检验方案的确定。...2023-10-25 08:00:01浏览：20
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SJ/T 11874-2022 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序
本文件描述了电动汽车用半导体分立器件（以下简称器件）的分级及最低应力试验程序(用于应力试验程序组成器件检验方案)。
本文件适用于指导制定电动汽车用半导体分文器件检验方案的确定。...2023-10-24 23:00:01浏览：24
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GB/T 42973-2023 半导体集成电路 数字模拟（DA）转换器
本文件规定了数字模拟（DA）转换器（以下简称DA转换器或DAC）的分类、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的DA转换器。...2023-10-18 12:36:02浏览：26
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GB/T 42975-2023 半导体集成电路 驱动器测试方法
本文件规定了半导体集成电路驱动器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。
本文件适用于74/54系列驱动器、总线驱动器、PIN开关驱动器、达林顿驱动器、时钟驱动器、LVDS驱动器、MOSFET驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试。
其他类别驱动器的测试参考使用。...2023-10-18 12:00:01浏览：24
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GB/T 43040-2023 半导体集成电路 ACDC变换器测试方法
本文件描述了半导体集成电路交流到直流（AC/DC）变换器参数测试方法。
本文件适用于半导体集成电路AC/DC变换器参数的测试。...2023-10-18 10:00:02浏览：23
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