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GB/T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置 正式版
本文件规定了碳化硅单晶生长装置的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存以及订购与供货。本文件适用于在真空或保护气氛下，采用间接电阻加热生长碳化硅单晶的电热装置。采用高频感应加热的生长碳化硅单晶的装置参照使用。本文件适用于物理气相输运法碳化硅单晶生长装置，其他方法的碳化硅单晶生长装置参照使用。...
2024-01-23 23:30:02浏览：24
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DBJ/T 13-271-2023 福建省碳化硅耐磨整体面层技术标准
为规范福建省碳化硅耐磨整体面层的工程应用，做到施工规范、技术先进、经济合理、安全环保，质量可靠，制定本标准。
本标准适用于福建省新建、改建和扩建工程中碳化硅耐磨整体面层的选材、设计、施工、质量检验与验收。
碳化硅耐磨整体面层的选材、设计、施工及质量检验与验收，除应符合本标准外，尚应符合国家、行业及福建省地方现行有关标准的规定。...2023-12-08 04:12:01浏览：26
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SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底
本文件规定了半绝缘型碳化硅(SiC)单晶衬底的术语、分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本文件适用于经抛光后制备的Φ50.8 mmΦ76.2mm，Φ100.0mm，Φ150. 0mm半绝缘型SiC衬底，晶型为4H。...2023-10-25 17:48:02浏览：27
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SJ/T 11865-2022 功率器件用Φ150 mm n型碳化硅衬底
本文件规定了功率器件用Φ150mm n型碳化硅(SiC)衬底的术语、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本文件适用于经抛光后制备的Φ150 mm n型 SiC衬底，晶型为4H。...2023-10-24 13:36:01浏览：32
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GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。...2023-09-11 07:12:02浏览：23
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GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018 cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。...2023-09-10 22:48:01浏览：30
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GB/T 21944.1-2022 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第1部分：方梁 Special products of silicon carbide- Kiln furniture of reaction bonded silicon carbide-Part 1 ：Beams
本文件规定了反应烧结碳化硅方梁的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和储存。<br />本文件适用于使用温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅方梁。...
2023-06-10 15:12:01浏览：51
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JC/T 2656-2022 碳化硅陶瓷制品 工业计算机层析成像（CT）检测
本文件规定了碳化硅陶瓷制品工业计算机层析成像（CT）检测的术语和定义、原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、试验报告。
本文件适用于碳化硅陶瓷制品内部缺陷的工业 CT 检测，其他陶瓷材料制品内部缺陷的工业 CT 检测可参照使用。...2023-06-07 15:24:01浏览：64
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GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离面、偏向<11?2 0>方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。...2023-05-31 01:12:01浏览：39
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GB/T 30656-2023 高清版 碳化硅单晶抛光片
本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。
替代GB/T 30656-2014...2023-05-27 06:12:01浏览：30
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GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片
本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类技术要求、试验方法检验规则.标志、包装运输.贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于生产电力电子器件﹑射频微波器件及IED发光器件的外延材料用碳化硅单品抛光片。
代替GB/T 30656-2014...2023-04-28 15:11:14浏览：50
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GB/T 21944.1-2022碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第1部分：方梁Special products of silicon carbide—Kiln furniture of reaction bonded silicon carbide—Part 1：Beams
本文件规定了反应烧结碳化硅方梁的产品分类、技术要求,试验方法、检验规则.包装、标志、运输和储存。本文件适用于使用温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅方梁。...
2022-10-26 07:09:01浏览：45
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GB/T 2480-2022普通磨料 碳化硅Conventional abrasive—Silicon carbide
本文件规定了碳化硅磨料的牌号、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输及贮存。本文件适用于制造固结磨具﹑涂附磨具用途和自由研磨、抛光、切割用途的碳化硅磨料。...
2022-10-26 08:18:01浏览：29
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